半導体の価格指数（企業物価） 10月の輸入の電気・電子機器は前年比31.6%上昇、上げの主役はメモリの集積回路
日本銀行の企業物価指数（2026年10月速報）で、輸入物価の「電気・電子機器」は円ベースで前年同月比31.6%、契約通貨ベースで25.3%上がりました。前月からの上昇に最も効いた品目は「モス型メモリ集積回路」です。
SKハイニックスSK hynix
韓国のメモリ大手。AI向けのHBMで先行している。キオクシアに間接的に出資している。
SKハイニックス（000660）
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決算の推移
会社の概要
| コード | 000660 |
|---|---|
| 上場 | 韓国取引所 |
| 本社 | 韓国・利川 |
| 分野 | メモリ |
| 決算期末 | 12月 |
| 配当（会社予想） | 2026年7〜9月期の配当 1株 20,000ウォン（通常配当1万ウォンと、キオクシア投資の利益を分ける特別配当1万ウォン） |
| 主な製品 | DRAM・HBM・NAND型フラッシュメモリ |
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AI半導体の新興企業の資金調達、2026年も大型が続く Etchedは評価額103億ドル、Groqはクラウドに10億ドル
AIの推論用チップを作る米Etchedは2026年7月23日、3億ドルを調達し、企業価値は103億ドルになりました。米Groqは6月と8月の2回で計10億ドルを集め、推論のクラウドの電力を2027年に200MW超へ増やします。
KVキャッシュとは 1語に800キロバイト、GPUのメモリの約3割を占める途中結果
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インメモリ演算とは 電流の足し合わせで計算する方式、IBMの試作は電力効率14倍
インメモリ演算は、メモリの素子そのものを使って掛け算と足し算を行う方式です。IBMは2023年8月、1チップに3,500万個の相変化メモリの素子を並べた試作で、音声の文字起こしの電力の効率が同等の方式の約14倍になったと発表しました。
ニアメモリ演算とは メモリのそばで計算する設計、SKハイニックスは特定計算で16倍
ニアメモリ演算は、メモリのすぐそばに計算の回路を置き、データの往復を減らす設計です。SKハイニックスは、メモリに計算の機能を足したGDDR6-AiMで、特定の計算が16倍速く、消費電力は80%減るとしています。
メモリ容量の壁とは 4,050億の重みは16ビットで810GB、H100の10倍超
メモリ容量の壁は、AIのモデルの大きさに半導体のメモリの量が追いつかない問題です。メタのLlama 3.1 405Bは16ビットで約810GBとなり、H100の80GBの10倍を超えます（計算）。
メモリ帯域とは 端子の数×速さで決まる、HBM4は端子を2,048本に倍増
メモリ帯域は、メモリと計算の回路の間で1秒間に運べるデータの量です。エヌビディアのGPU1基の帯域は、H100の毎秒3.35テラバイトから、Rubinの毎秒22テラバイトに広がります。
配置配線とは 部品の位置を決めて配線を通す工程、AIの道具で面積を最大5%減らした例も
配置配線は、論理回路の部品をチップの上に並べ、その間を配線でつなぐ設計の工程です。シノプシスによると、SKハイニックスはAIで設計を最適化する道具を使い、最も進んだ製造技術でチップの面積を最大5%減らしました。
SKハイニックスは業績予想の数字を出さず 年間の目標は株主還元約100兆ウォン、2027〜28年の生産の半分超を長期契約に
SKハイニックスは2026年7〜9月期に売上104.6兆ウォン、営業利益83.3兆ウォンを計上しました。会社は業績の数字の予想を出さず、2026年の株主還元を約100兆ウォンとする目標と、2030年まで需要が供給を上回るとの見方を示しています。
サムスン電子は業績の数字の予想を出さず 年間の設備投資84.4兆ウォンと還元90〜110兆ウォンを示す
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SKハイニックスの成り立ち 1983年の現代電子から、2013年に世界初のTSVのHBMを開発
SKハイニックスの前身は、1983年2月に設立された現代電子産業です。2013年12月に世界で初めてTSVを使うHBMを開発し、2026年7〜9月期には売上高104.6兆ウォン、営業利益83.3兆ウォンを計上しました。
半導体の決算はいつ出るか 主要20社の決算期と直近の発表日、エヌビディアは11月17日
半導体関連の主な会社の7〜9月期の決算は、10月14日のASMLから11月12日のSMICとアプライド・マテリアルズまでに出そろいました。次はエヌビディアが11月17日（米国時間）に8〜10月期の決算を発表します。
HBMの推移を開示で見る SKハイニックスは10〜12月期にHBM4が主役、長期契約は14社
HBMの売上を金額で開示しているメモリ大手はありません。SKハイニックスは7〜9月期の決算で、HBM4が10〜12月期に出荷量と売上の両方でHBM3Eを上回ると説明しました。2027〜2028年の生産能力の50%超は、14社との長期契約で埋まっています。
半導体メーカーの四半期売上の順位 サムスンの半導体部門とエヌビディアが1,000億ドル前後
直近の四半期で売上が最も大きい半導体メーカーは、サムスン電子の半導体部門でした。7〜9月期に147.1兆ウォンで、ドルに直すと約1,038億ドルです（計算）。エヌビディアの5〜7月期の962億2,100万ドルが続きます。
メモリ市場の推移 2023年の底から2026年は8.7倍、半導体の53%に
世界のメモリ市場は、2023年の922億9,000万ドルから、2026年に8,039億4,000万ドルへ増える見込みです（WSTSの予測）。3年で約8.7倍で、半導体市場の半分以上をメモリが占める計算になります（計算）。
中国向けの半導体、供給国の統計で見ると 台湾は1〜10月で1,261億ドル、日本は74%増
中国が外から買う半導体は、2026年に入って大きく増えています。台湾の電子部品の中国本土・香港向け輸出は1〜10月で1,261億3,000万ドル、日本の半導体等電子部品の中国向け輸出は1〜9月で1兆6,337億円でした。
韓国の半導体輸出、9か月で3,404億ドル 前年の通年1,734億ドルの約2倍に
韓国の半導体輸出は、2026年1〜9月の累計で3,404億3,000万ドルになりました。前年同期より184.3%多く、過去最高だった2025年の通年の約2倍に当たります（計算）。
日本の半導体の輸入、1〜9月で4兆6,597億円 台湾からが53%、ICが9割
日本の半導体等電子部品の輸入は、2026年1〜9月で4兆6,597億円になりました。前年同期より54.4%多く（計算）、9か月で2025年の通年の4兆1,839億円を上回っています。
米国のエンティティリスト、新たな追加は2025年10月9日が最後 2026年は削除と見直しだけ
米国が輸出を事実上止める企業の一覧「エンティティリスト」への追加が、1年以上止まっています。官報に載った追加の規則は2025年10月9日の26社が最後で、2026年は削除と住所の見直しの規則だけでした。
韓国・龍仁の半導体クラスター、SKハイニックスは4工場の完成を2045年から2033年に前倒し 第1工場は2027年2月に稼働
SKハイニックスは2026年8月7日、龍仁の第2工場Y2に35兆2,000億ウォン、清州のM17に19兆1,000億ウォン、合わせて約54兆ウォンを投じると発表しました。龍仁の4工場の完成の目標は、2045年から2033年に早めました。
米CHIPS法の製造補助金、配分の上位はTSMC66億ドル・マイクロン64億ドル・サムスン47億ドル インテル分は政府の出資に
米商務省のCHIPS計画の一覧によると、工場への直接の補助金の最大はTSMCアリゾナの66億ドルで、マイクロンの64億4,000万ドル、サムスン電子の47億4,500万ドルが続きます。インテル向けの補助金は2025年8月、未払い分を政府の出資に充てる形に変わりました。
AIとメモリの需要、値上がりが業績を押し上げ SKハイニックスは利益率80%、マイクロンはDRAM単価が1四半期で10%台後半上昇
SKハイニックスの2026年7〜9月期の売上高は104兆6,155億ウォンで、四半期で初めて100兆ウォンを超えました。2027年と2028年の生産能力の50%超を、14社の大口の顧客との長期契約で埋めています。
エヌビディアのGPU、3世代でメモリ帯域は約6.6倍 Hopper 3.35TB/sからRubin 22TB/sへ
エヌビディアのデータセンター向けGPUは、Hopper、Blackwell、Rubinと世代を重ねてきました。GPU1基のメモリ帯域は、H100の毎秒3.35テラバイトからRubinの毎秒22テラバイトへ約6.6倍（計算）になります。
TCボンダーとHBM 熱と圧力でDRAMを1枚ずつ積む ASMPTはTCB受注が過去最高、SKハイニックスは14社と長期契約
TCボンダー（熱圧着ボンダー）は、チップを1枚ずつ正確に置き、熱と圧力で下のチップや基板とつなぐ装置です。SKハイニックスは2026年7〜9月期にHBM4の本格的な出荷を始め、10〜12月期には出荷量と売上でHBM3Eを上回ると見込んでいます。
PCとは 7〜9月の世界出荷は6270万台で20.1%減、メモリ高で値上げ前の先回りが響く
PCは、CPUやメモリなどの半導体を1台にまとめた個人用の計算機です。IDCの速報では、2026年7〜9月の世界のPCの出荷台数は6270万台で、前年同期比20.1%減でした。
メモリ価格の契約価格とスポット価格とは DDR5の固定価格は6月から4か月で25%上昇
メモリの値段は、大口の取引で決める契約価格と、流通の市場で日々決まるスポット価格の2つで語られます。韓国の産業通商部の資料では、DDR5の16ギガビット品の固定価格が2026年6月の40.0ドルから10月に50.0ドルへ上がりました。
SSDとは NANDフラッシュで作る記憶装置、マイクロンのデータセンター向けは前年の10倍超
SSDは、NANDフラッシュで作る記憶装置です。マイクロンの2026年6〜8月期のデータセンター向けSSDの売上は100億ドル近くで、前年同期の10倍を超えました。
CXLとは PCIeの配線でCPUとメモリをつなぐ規格、サーバーのメモリ不足を補う
CXLは、CPUの外にメモリなどをつなぐための規格です。業界団体のCXLコンソーシアムが2025年11月に出した4.0版は、データの速さを3.0版の2倍の毎秒128ギガ転送に上げました。
3D NANDとは セルを縦に300層超積み上げるフラッシュメモリ
3D NANDは、フラッシュメモリの記憶のセルを縦に積み重ねて容量を増やす作り方です。キオクシアは2026年7月に、332層の第10世代品のサンプル出荷を始め、記憶の密度を59%高めたと発表しました。
NANDフラッシュとは 電子を閉じ込めて記憶する保存用のメモリ、SSDとスマホの中身
NAND型フラッシュメモリは、電源を切っても中身が残る保存用のメモリです。マイクロンの2026年6〜8月期のNANDの売上は141億ドルで、前年同期比526%増えました。
HBM4とは I/Oを2,048本に増やしたHBMの第6世代、10〜12月期に主力へ
HBM4は、データの出入り口を2,048本に増やしたHBMの第6世代です。SKハイニックスは2026年7〜9月期に本格出荷を始め、10〜12月期には出荷量と売上でHBM3Eを上回る主力品になると見ています。
HBM3Eとは DRAMを12段積んで36GB、10〜12月期にHBM4へ主役交代
HBM3Eは、高帯域メモリ（HBM）の第5世代の製品です。SKハイニックスは2026年10〜12月期に、出荷量と売上の両方で次の世代のHBM4がHBM3Eを上回ると見込んでいます。
GDDR7とは ゲーム用GPUの隣に並べるDRAM、AIの推論用GPUにも採用
GDDR7は、GPUの基板の上に並べて使うグラフィックス用のDRAMの規格です。JEDECは2024年3月に規格を公表し、1個あたりの帯域は前の世代のGDDR6の2倍の毎秒192ギガバイトになりました。
LPDDR5Xとは 電力を抑えたスマートフォン用のDRAM、サーバー用モジュールの売上は前期の2倍超
LPDDR5Xは、スマートフォンなどに使う電力の少ないDRAMの規格です。マイクロンは2026年6〜8月期に、LPDDR5Xなどを使うサーバー用モジュール「SOCAMM」の売上が前期の2倍を超えたと説明しました。
DDR5とは サーバーとパソコンの主記憶に使うDRAMの規格、モジュールに電源ICを載せる
DDR5は、サーバーとパソコンの主記憶に使うDRAMの規格です。韓国の産業通商部の資料では、DDR5の16ギガビット品の固定価格は2026年6月の40.0ドルから10月に50.0ドルへ上がりました。
DRAMとは トランジスタ1個とコンデンサー1個で1ビットを覚える作業用メモリ
DRAMは、コンデンサーにためた電気で0と1を覚える作業用のメモリです。マイクロンの2026年6〜8月期のDRAMの売上は398億ドルで、前年同期比343%増えました。
メモリ半導体とは データを覚えておく半導体、作業用のDRAMと保存用のNAND
メモリ半導体は、データを記憶しておくための半導体です。マイクロンの2026年6〜8月期の売上542億ドルのうち、DRAMが398億ドルで73%、NANDが141億ドルで26%でした。
3次元実装とは HBMは貫通電極で、SoICとFoverosは直接の貼り合わせで重ねる
3次元実装は、チップを縦に重ねてつなぐ方式です。オランダのBesiは、2026年1〜9月のハイブリッドボンディングの装置の受注が2025年通年の2倍を超えたと発表しました。
TSV（シリコン貫通電極）とは チップを縦に貫く電極でHBMの層を結ぶ
TSVは、チップに縦の穴をあけて金属を埋め、積み重ねたチップの上下をつなぐ電極です。SKハイニックスは、HBMのチップには数千個の縦の貫通穴があると説明しています。
バンプとは はんだの玉から銅の柱、マイクロバンプへ 接続の数を増やす小さな突起
バンプは、チップの電極の上につくる小さな金属の突起で、チップと基板をつなぎます。SKハイニックスのHBM4は、データの出入り口（I/O）が2048本と前の世代の2倍で、つなぐ点の数が増えています。
半導体の決算の読み方 受注・BBレシオ・在庫で先を読む
半導体の決算は、売上と利益だけでなく、受注や在庫を見ると先の動きが読みやすくなります。マイクロンは6〜8月期末の在庫日数が129日で、前期より9日増えたと説明しました。
メモリの種類 DRAM・NAND・HBMはどう違うか
メモリは、作業用のDRAMと保存用のNANDに大きく分かれます。マイクロンの6〜8月期の売上は、DRAMが398億ドルで全体の73%、NANDが141億ドルで26%でした。
シリコンサイクル 半導体の景気はなぜ波を打つのか
半導体の市場は、数年おきに大きく伸びたり縮んだりしてきました。WSTSの統計では、世界の半導体市場は2023年に8.2%減り、メモリは28.9%減りましたが、2026年はメモリが249.5%増える見通しです。
HBMとは DRAMを縦に積んでGPUに直結するメモリ
HBMは、DRAMのチップを積み重ねてGPUの隣に置くメモリです。SKハイニックスは、2026年10〜12月期にHBM4の出荷量と売上が前の世代のHBM3Eを上回ると見込んでいます。
メモリ価格の上昇続く DDR5固定価格は6月比25%高
メモリの値上がりが続いています。韓国の産業通商部の資料では、DDR5の16ギガビット品の固定価格は6月の40.0ドルから10月に50.0ドルへ、25%上がりました（計算）。
韓国の半導体輸出、10月は259.4%増の564億ドル 輸出全体の約半分に
韓国の産業通商部が11月1日に発表した10月の半導体輸出は564億4,000万ドルで、前年同月の約3.6倍になりました。メモリが501億4,000万ドルと、半導体輸出の約9割を占めています。
欧州・韓国・台湾の半導体の支援策 EUは官民520億ユーロ規模、韓国は33兆ウォン、台湾は10年で3000億台湾ドル
半導体の支援競争は米国と日本だけではありません。欧州連合（EU）は520億ユーロ規模の官民投資、韓国は33兆ウォンの支援策を掲げ、台湾は2024年から10年間で3000億台湾ドルを投じる計画です。
HBMの増産、日本の装置各社に波及 ディスコの出荷額は四半期最高の1486億円
AI向けの積層メモリHBMの増産が、日本の後工程の装置メーカーに広がっています。ディスコの7〜9月期の出荷額は四半期で過去最高の1486億円となり、メモリ向けはHBM向けを中心に増えました。
ASML、上期のHigh-NA EUV販売は3台・約11.9億ユーロ EUVの生産能力は2027年に3割増
オランダのASMLは、2026年1〜6月に次世代のHigh-NA EUV露光装置を3台、約11.9億ユーロ販売しました。従来型のEUVは29台で、2027年にはEUVの生産能力を3割増やす計画です。
エヌビディア「Vera Rubin」量産へ GPU72基とCPU36基で1ラック
エヌビディアは次世代のAI向け基盤「Vera Rubin（ベラ・ルービン）」の量産に入りました。主力のラック「Vera Rubin NVL72」は、Rubin GPUを72基、Vera CPUを36基つないだ構成です。
SKハイニックス HBM4が主力に、主要14社と長期契約
韓国のSKハイニックスは、DRAMとNANDフラッシュを作るメモリー専業の会社です。AI向けのHBMを強みとし、2026年7〜9月期は売上104.6兆ウォン、営業利益83.3兆ウォンでした。
ASML 露光装置の大手、保守サービスが売上の28%
オランダのASMLは、半導体の回路をウエハーに焼き付ける露光装置を作る会社です。2026年7〜9月期は新品の装置を113台売り、売上は116億6,200万ユーロでした。
エヌビディア、5〜7月期売上962億ドル データセンター890億ドルで117%増
エヌビディアの2026年5〜7月期の売上は962億2,100万ドルで、前年同期の2倍強になりました。次の8〜10月期の決算は、11月17日（米国時間）に発表する予定です。
マイクロン、6〜8月期売上542億ドル 通期は1,332億ドルで前期の3.6倍
米マイクロン・テクノロジーの2026年6〜8月期の売上は542億3,000万ドルで、前年同期の4.8倍になりました。GAAPの純利益は377億ドル、売上総利益率は86.8%でした（倍率は計算）。
ASML、7〜9月期売上116億ユーロ 2027〜28年の供給は需要に届かず
オランダのASMLの2026年7〜9月期の売上は116億6,200万ユーロで、前期の93億2,600万ユーロから25%増えました。純利益は49億6,000万ユーロで、前期の1.7倍になりました（倍率は計算）。
SKハイニックス、7〜9月期の売上が初の100兆ウォン超 営業益83.3兆ウォン
SKハイニックスの2026年7〜9月期の売上は104.6155兆ウォンで、四半期として初めて100兆ウォンを超えました。営業利益は83.3338兆ウォンで、売上に対する比率は80%でした。
サムスン電子、7〜9月期の営業益107.4兆ウォン メモリーが過去最高
サムスン電子の2026年7〜9月期の営業利益は107.4兆ウォンで、四半期の過去最高を更新しました。半導体を担うDS部門が106.5兆ウォンを稼ぎ、メモリーの売上と利益が過去最高になりました。