HBM4とは　I/Oを2,048本に増やしたHBMの第6世代、10〜12月期に主力へ

HBM4は、AI向けのGPUや専用半導体の隣に置く高帯域メモリ（HBM）の第6世代です。SKハイニックスは2026年7〜9月期に本格的な出荷を始めました。

出入り口を2倍に

HBMの帯域は、データの出入り口（I/O）の本数と、1本あたりの速さの掛け算で決まります。SKハイニックスによると、HBM4はI/Oを前の世代の2倍の2,048本に増やしました。1ピンあたりの速さは毎秒10ギガビットを超え、業界団体JEDECの標準の8ギガビットを上回ります。

2,048本を毎秒10ギガビットで動かすと、1個あたりの帯域は毎秒約2.56テラバイトです（計算）。前の世代のHBM3Eの12段品（毎秒9.6ギガビット）の約2.1倍になります（計算）。SKハイニックスは、帯域が2倍、電力の効率が40%超よくなったと説明しています。製造は第5世代の10nm級（1b）のDRAMと、チップの間を樹脂で固める「MR-MUF」の方法です。

土台のチップが変わる

HBMの一番下には、上に積んだDRAMとGPUとの間で信号をやりとりする土台のチップ（ベースダイ）があります。HBM4では配線の本数が増え、ベースダイに載せる回路も複雑になりました。このため、ベースダイをメモリの工場ではなく、ロジック半導体の工程で作る動きが出ています。

サムスン電子は2026年7〜9月期の決算で、受託生産（ファウンドリー）部門が「HBMの土台となるベースダイ」の販売で損益を改善したと説明しました。メモリ部門ではHBM4の販売が大きく増えたとしています。

HBM4をめぐる各社の説明

会社	時期	内容
SKハイニックス	2025年9月12日	HBM4の開発を終え、量産の準備を整えた
SKハイニックス	2026年10月28日	7〜9月期に本格出荷。10〜12月期にHBM3Eを出荷量・売上で上回る見込み。M15X工場を年末までに最大能力へ
サムスン電子	2026年10月	7〜9月期にHBM4の販売が大きく増加。ファウンドリーでベースダイを販売
マイクロン	2026年9月30日	HBM4の増産は順調。エヌビディアと業界初の顧客専用HBM4E「NVHBM」を開発

カスタムHBMへ

次の世代のHBM4Eでは、ベースダイに顧客ごとの回路を入れる「カスタムHBM」が始まります。マイクロンは、エヌビディアと組んだNVHBMが、エヌビディアの次の世代のGPUと、他社のチップをつなぐ仕組み「NVLink Fusion」に採用されると説明しました。

関連する用語

• ベースダイ：HBMの一番下に置く、信号を中継する土台のチップ。
• HBM3E：HBMの第5世代。I/Oは1,024本。
• カスタムASIC：顧客の用途に合わせて作る専用の半導体。

マイクロンは2027年8月期の設備投資を、従来の計画より増やす方針です。