NANDフラッシュとは 電子を閉じ込めて記憶する保存用のメモリ、SSDとスマホの中身
NAND型フラッシュメモリは、電源を切っても中身が残る保存用のメモリです。マイクロンの2026年6〜8月期のNANDの売上は141億ドルで、前年同期比526%増えました。
- NANDフラッシュは、トランジスタの中に電子を閉じ込め、その量で0と1を表すメモリです。電源を切っても中身が残ります。
- キオクシアは、1987年にNAND型フラッシュメモリを発明したとしています。
- 書き込みは「ページ」、消去はまとめて「ブロック」単位で行います。
- マイクロンのNANDの単価は、2026年6〜8月期に前期比で約30%上がりました。
NAND型フラッシュメモリは、データを長く保存しておくためのメモリです。SSD、スマートフォンの保存領域、USBメモリ、SDカードの中身はNANDです。DRAMより読み書きは遅いものの、同じ面積に多くのデータを入れられ、容量あたりの値段が安く済みます。
電子を閉じ込める仕組み
NANDの記憶の単位(セル)は、特別な構造のトランジスタです。電気を通さない膜で囲んだ層に電子を閉じ込めると、トランジスタのスイッチが入る電圧が変わります。その違いを読んで0と1を見分けます。電子は膜に囲まれて逃げにくいため、電源を切ってもデータが残ります。
名前の「NAND」は、セルを直列につなぐ回路の形が、論理回路のNANDに似ていることに由来します。セルを直列に並べると配線が減り、面積あたりの容量を増やせます。代わりに、1個ずつではなく、数千個単位の「ページ」で書き込み、さらに大きな「ブロック」単位でまとめて消す必要があります。同じセルに書き換えを繰り返すと膜が傷むため、書き換えの回数に上限があります。
| 項目 | NANDフラッシュ | DRAM |
|---|---|---|
| 電源を切ると | 残る | 消える |
| 記憶の方法 | 膜に囲んだ層に電子を閉じ込める | コンデンサーに電気をためる |
| 書き込みと消去 | ページ単位で書き、ブロック単位で消す | 1か所ずつ何度でも書き換えられる |
| 主な用途 | SSD、スマートフォンの保存領域 | 主記憶、HBM |
| マイクロンの6〜8月期の売上 | 141億ドル | 398億ドル |
作る会社と数字
キオクシアは、1987年にNAND型フラッシュメモリを発明したと説明しています。会社案内によると、四日市工場と北上工場の生産量は、米サンディスクとの合弁分を合わせて記憶容量ベースで世界の28%(2025年度)です。2026年7〜9月期の売上収益は2兆4,800億円で、前年同期の5.5倍でした。
マイクロンの6〜8月期のNANDの売上は141億ドルで、前期比42%増えました。出荷量(記憶容量ベース)は約10%増え、単価は約30%上がりました。SKハイニックスとサムスン電子もNANDを作ります。
値上がりの勢いは製品で違います。韓国の産業通商部の資料では、NANDの128ギガビット品の固定価格は2026年6月の28.8ドルから10月に30.6ドルで、9月から10月は横ばいでした。
関連する用語
- 3D NAND:セルを縦に何百層も積み重ねたNAND。今の主流。
- TLC・QLC:1つのセルに3ビット、4ビットを記憶する方式。
- SSD:NANDとそれを管理するコントローラーを組み合わせた記憶装置。
- NOR型フラッシュ:セルを並列につなぐフラッシュ。読み出しが速く、機器の制御プログラムの保存に使う。
キオクシアは、NANDのビット需要が2026年に10%台後半、2027年に20%台前半伸びると見ています。
この記事は公開資料をもとに作成しています。売買をすすめるものではありません。誤りを見つけたら訂正します(編集方針)。
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