インメモリ演算とは 電流の足し合わせで計算する方式、IBMの試作は電力効率14倍
インメモリ演算は、メモリの素子そのものを使って掛け算と足し算を行う方式です。IBMは2023年8月、1チップに3,500万個の相変化メモリの素子を並べた試作で、音声の文字起こしの電力の効率が同等の方式の約14倍になったと発表しました。
- インメモリ演算は、計算の回路とメモリを分けず、メモリの素子の中で計算を済ませる方式です。
- 重みを素子の電気の通しやすさとして記録し、電圧をかけて流れる電流の合計で、掛け算と足し算を一度に行います。
- IBMの試作チップは、1個に3,500万個の相変化メモリの素子を持ち、約1,700万個の重みを置けます。
- 数値が連続したアナログの値になるため、素子のばらつきや精度の確保が課題です。
AIの計算の大半は、たくさんの数を掛けて足し合わせる「積和」の計算です。今の半導体は、重みをメモリから計算の回路に運んでから積和を行います。インメモリ演算は、重みを置いた場所で、そのまま積和を済ませてしまう方式です。重みを運ぶ必要がなくなります。
電流で計算する
代表的な方式は、電気の通しやすさを変えられる素子を、碁盤の目のように並べるものです。それぞれの素子に、モデルの重みを「電気の通しやすさ」として記録します。
横の線に、入力の値に応じた電圧をかけます。素子を流れる電流は、電圧と通しやすさの掛け算になります。縦の線には、その列の素子の電流が集まって足し合わされます。縦の線の電流を読めば、積和の答えが一度に出ます。何百もの掛け算と足し算が、電流の物理的な性質だけで同時に済むわけです。
答えはアナログの電流なので、読み取りの回路でデジタルの値に戻します。この変換の回路が、チップの面積と電力のかなりの部分を占めます。
IBMの試作
IBMの研究所は2023年8月23日、相変化メモリを使ったアナログのAIチップの成果を英科学誌ネイチャーに発表しました。相変化メモリは、材料を結晶の状態とガラスのような状態の間で変え、電気の通しやすさを変える素子です。
| 項目 | 数字 |
|---|---|
| 1チップの相変化メモリの素子 | 3,500万個 |
| 1チップに置ける重み | 約1,700万個 |
| 音声の文字起こしの試験で使ったチップ | 5個 |
| 同 重み/素子 | 4,500万個/1億4,000万個 |
| 音声の文字起こしの電力の効率 | 同等の方式の約14倍(推定) |
| キーワード検出の速さ | 同じ分類の最高記録の約7倍 |
キーワード検出の比較には、AIの性能の共通の試験MLPerfのデータを使いました。音声の文字起こしの正確さは、デジタルの方式に近い水準でした。
ニアメモリ演算との違い
ニアメモリ演算は、計算の回路をメモリのそばに置きます。計算そのものはデジタルの回路で行います。SKハイニックスのGDDR6-AiMや、IBMのデジタルの試作チップNorthPoleがこちらです。
インメモリ演算は、メモリの素子が計算の一部を兼ねる点が違います。電力の節約は大きくなりうる一方、素子ごとの通しやすさのばらつきや、時間とともに値がずれる現象が精度に響きます。大きな言語モデルは重みが数千億個あり、1チップ約1,700万個の規模とは桁が違います。今のところ、小さなモデルを端末側で動かす用途の研究が中心です。
素子には、相変化メモリのほか、抵抗変化メモリ(ReRAM)、磁気メモリ(MRAM)、フラッシュメモリ、SRAMを使う研究があります。SRAMを使う場合は、デジタルの回路で積和を行う方式も多く試されています。
関連する用語
- 積和演算:掛け算と足し算を組にした、AIの計算の基本の単位。
- 相変化メモリ:材料の状態の変化で電気の通しやすさを変える素子。
- ニアメモリ演算:計算の回路をメモリの近くに置く方式。
- 量子化:数値の桁を減らす方法。アナログの方式では精度の確保と表裏の関係にある。
IBMの試作は、キーワード検出と音声の文字起こしの2つの課題で評価されました。
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