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SKハイニックスの成り立ち 1983年の現代電子から、2013年に世界初のTSVのHBMを開発

SKハイニックスの前身は、1983年2月に設立された現代電子産業です。2013年12月に世界で初めてTSVを使うHBMを開発し、2026年7〜9月期には売上高104.6兆ウォン、営業利益83.3兆ウォンを計上しました。

ポイント
  • 1983年2月に現代電子産業として設立され、1985年10月に韓国で初めて256KビットのDRAMを量産しました。
  • 1999年7月にLG半導体と合流し、2001年3月にハイニックス半導体に社名を変えています。
  • 2012年3月にSKグループに入り、SKハイニックスになりました。
  • 2013年12月に世界初のTSVを使うHBMを開発し、2024年3月に世界初のHBM3Eの量産を始めています。
  • 2026年7〜9月期の売上高は104.6兆ウォン、営業利益率は80%でした。

SKハイニックスは、韓国のDRAMとNANDの大手です。いまはAIの計算に使うGPUの隣に置くHBMで知られています。会社の年表をたどると、2つの財閥の半導体部門が1つになり、経営の再建を経てSKグループの傘下に入った会社であることがわかります。

2つの財閥の半導体が合流

会社の年表によると、1983年2月に現代電子産業が設立されました。1985年10月には、韓国で初めて256KビットのDRAMを量産しています。

1999年7月には、LG半導体と合流しました。同社の広報サイトに残る2000年10月の発表では、合流前のDRAMの市場でのシェアは現代電子が11.9%、LG半導体が9.2%で、合わせて23.3%でした。8インチのウエハーの月産能力は15万枚から35万枚に増えたとしています。1999年末の負債は9兆4000億ウォンでした。2001年3月には、社名をハイニックス半導体に変えました。

2000年代前半は経営の立て直しが続きました。年表には、2005年7月に企業構造調整促進法の対象から予定より早く外れたとあります。2004年には中国の無錫市とSTマイクロエレクトロニクスと契約し、2006年10月に無錫の合弁工場を完成させました。

SKの傘下へ

2012年3月、ハイニックスはSKグループの一員となり、社名をSKハイニックスに改めました。その後は大きな投資を重ねています。2018年10月に清州のM15を完成させ、2021年2月に利川のM16の建設を終えました。2020年10月にはインテルのNAND事業の買収を発表し、2021年12月に第1段階の取引を終えています。

2018年6月には、日韓米の投資家の連合を通じて東芝メモリ(今のキオクシア)を引き受ける手続きを終えました。

HBMの年表

SKハイニックスのHBMの主な節目
年月出来事
2013年12月世界初のTSVを使うHBMを開発
2020年7月HBM2Eの量産を始める
2022年6月HBM3の量産を始める
2024年3月世界初のHBM3Eの量産を始める
2024年9月世界初の12段のHBM3Eの量産を始める
2025年9月世界初のHBM4の開発を終え、量産の準備に入る

出典はSKハイニックスの年表。

TSVは、DRAMのチップに縦の穴をあけて電極を通し、何枚も積んでつなぐ技術です。2024年4月には、HBMの技術でTSMCと協力する覚書を結び、米インディアナ州と先端パッケージの工場の投資協定も結びました。

2026年7〜9月期

10月28日に発表した2026年7〜9月期の売上高は104兆6155億ウォンで、四半期で初めて100兆ウォンを超えました。営業利益は83兆3338億ウォン、営業利益率は80%です。会社は、サーバー向けのDDR5の販売が大きく増え、HBM4の出荷が本格的な規模に達したと説明しています。数字は監査の前の速報値です。

この記事は公開資料をもとに作成しています。売買をすすめるものではありません。誤りを見つけたら訂正します(編集方針)。

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