ドライエッチングとは プラズマのイオンで膜を削る、極低温で3D NANDの深い穴を2.5倍速く
ドライエッチングは、プラズマの中のイオンを膜に当てて削る方法で、今の半導体の加工の主流です。ラムリサーチは、3D NANDの深さ10マイクロメートルの穴を、極低温の方式で従来の2.5倍の速さで削れるとしています。
半導体とAIの用語と仕組み(343本、11ページ目)
ドライエッチングは、プラズマの中のイオンを膜に当てて削る方法で、今の半導体の加工の主流です。ラムリサーチは、3D NANDの深さ10マイクロメートルの穴を、極低温の方式で従来の2.5倍の速さで削れるとしています。
エッチングは、レジストで覆われていない部分の膜を削り、回路の形を作る工程です。エッチング装置の大手の米ラムリサーチの2026年7〜9月期の売上高は82億2,000万ドルで、前の四半期比22%増えました。
計算リソグラフィは、露光の写り方をコンピューターでまね、マスクと照明を最適化する技術です。NVIDIAによると、同社のGPUのシステム350台で、CPUのシステム4万台分の計算をこなせます。
OPCは、露光で模様が設計どおりに写らない分を見込んで、マスクの模様を補正する技術です。NVIDIAによると、チップ1つ分のマスクの組の計算に3,000万CPU時間以上かかることがあります。
電子線描画は、電子のビームでマスクやウエハーに回路の模様を直接描く技術です。ニューフレアテクノロジーのマルチビームの装置は、50万本を超えるビームで同時に描きます。
ナノインプリントは、回路の模様を刻んだ型を、はんこのようにレジストに押し付けて回路を作る技術です。キヤノンの装置は最小14ナノメートルの線を作れ、同社は2027年の量産への適用をめざしています。
SADPは、露光で作った「芯」の線の両側に薄い膜を付け、芯を取り除いて膜を新しい線として使う方法です。成膜装置のKOKUSAI ELECTRICは、2027年の前工程の装置の市場を2026年比30%以上増の約1,900億ドルと見ています。
マルチパターニングは、1つの層の模様を2回、4回と分けて作り、露光装置の解像度より細かい回路を得る方法です。ASMLは、EUVで1回の露光に置き換えればマスクと工程の数を減らせると説明しています。
EUVは波長13.5ナノメートルの極端紫外線で、レンズを通らないため、露光装置は100層を超える膜を重ねた鏡で光を運びます。ASMLは2026年1〜6月に、EUV装置を32台販売しました(計算)。
High-NA EUVは、開口数(NA)を従来の0.33から0.55に上げたEUV露光装置で、解像度は8ナノメートルです。ASMLは2026年1〜6月に、High-NAの装置を3台、計11億8,890万ユーロ販売しました。
EUVペリクルは、EUV露光で使うフォトマスクを、ほこりから守る薄い膜です。三井化学は透過率92%以上のカーボンナノチューブ(CNT)のペリクルを、岩国大竹工場の年5,000枚の設備で作ります。
i線露光は、水銀ランプの波長365ナノメートルの光を使う、古くからある露光の方式です。キヤノンは2026年に、半導体露光装置221台のうち155台をi線の装置で販売する見通しです。
KrF露光は、波長248ナノメートルのKrFエキシマレーザーの光を使う露光です。キヤノンは2026年に、KrFの露光装置を66台販売する見通しです。
ArF液浸露光は、レンズとウエハーの間に水の層を入れ、開口数(NA)を1.35まで上げた露光の方式です。ニコンの最新機は解像度38ナノメートル以下で、1時間に280枚以上を処理します。
メタルオキサイドレジストは、スズの酸化物を核にした金属のかたまりを使うEUV用のレジストです。開発する米インプリアは2021年にJSRの傘下に入り、JSRは2026年5月にインテグリスと特許を相互に使える契約を結びました。
化学増幅型レジストは、光で生じた少しの酸が触媒になり、周りの樹脂の性質を次々に変えるレジストです。米IBMの研究チームが1980年に最初の材料の開発に成功し、2013年に日本国際賞を受けました。
フォトレジストは、ウエハーに塗って光を当て、回路の模様を写し取るための薬剤です。東京応化工業は、2025年の出荷量でKrF用の世界シェアが33.3%、EUV用が29.3%だとしています。
ペリクルは、フォトマスクの表面にほこりが付かないように張る薄い膜です。三井化学は1984年にペリクルの販売を始め、2022年には旭化成のペリクル事業の取得を決めました。
フォトマスクは、露光装置でウエハーに写す回路の模様を描いた原版です。大日本印刷(DNP)は2026年4〜9月、フォトマスクを含むエレクトロニクス部門の売上高が前年同期比16.1%増の1,437億円でした。
フォトリソグラフィは、光に反応する薬剤を塗ったウエハーに、マスクを通した光で回路の模様を写す工程です。ニコンの資料では、半導体露光装置の世界の市場は2026年に580台の見通しです。
酸化ガリウムは、ガリウムと酸素からなる半導体の材料で、高い電圧に耐える電源の素子に向きます。ノベルクリスタルテクノロジーは2026年3月から、直径150mmの基板のサンプル出荷を始めました。
SiCは、シリコンと炭素からなる化合物の半導体で、ロームによると絶縁破壊に耐える電界の強さはシリコンの約10倍です。レゾナックは2026年9月、直径300mmのSiCの単結晶の成長と基板の加工に成功したと発表しました。
GaNは、ガリウムと窒素の化合物の半導体で、シリコンより速く電気を切り替えられます。インフィニオンは2026年10月27日、300mmのGaNの量産工場に約11億ユーロを投じると発表しました。
化合物半導体は、インジウムとリン、ガリウムと窒素のように、2種類以上の元素を組み合わせた半導体です。JX金属は2026年6月、光通信に使うInP基板の生産能力を2025年度の7〜10倍に増やす方針を決めました。
SOIウエハーは、シリコンの層と支えの基板の間に酸化膜を挟んだウエハーです。仏ソイテックの2026年4〜6月期の売上高は1億1,300万ユーロで、AI向けを含む部門が前年同期比47%増えました。
エピタキシャル成長は、ウエハーの表面に、下地と同じ原子の並びの薄い単結晶の膜を育てる技術です。SUMCOによると、シリコンでは約1200℃に熱した炉に塩化ケイ素のガスを流して膜を作ります。
CZ法は、るつぼで溶かしたシリコンから単結晶の円柱を引き上げる方法で、シリコンウエハーの主な作り方です。原料の多結晶シリコンの純度は99.999999999%(11ナイン)です。
シリコンウエハーは、半導体の回路を作る土台の円板です。SUMCOの2026年7〜9月期の売上高は1,175億円で、300mmは先端ロジックとメモリー向けで出荷量が大きく増えました。
米商務省は2022年10月7日、中国向けの先端半導体と製造装置の輸出規制を大きく強めました。日本の半導体製造装置の輸出に占める中国向けの比率は、2026年1〜9月に36.0%と、前年同期の43.0%から下がっています(計算)。
半導体の決算は、売上と利益だけでなく、受注や在庫を見ると先の動きが読みやすくなります。マイクロンは6〜8月期末の在庫日数が129日で、前期より9日増えたと説明しました。