エッチングとは　回路の形に膜を削る工程、ラムリサーチは7〜9月に売上高82億ドル

エッチングは、ウエハーの上に付けた膜を、決まった形に削り取る工程です。露光と現像でレジストに回路の模様を作り、レジストに覆われていない部分の膜を削ります。最後にレジストを取り除けば、回路の形の膜の完成です。成膜、露光、エッチングを何度も繰り返して、チップの多くの層を作ります。

ドライとウエット

ラムリサーチの説明では、主な方法は、電気を帯びた粒（イオン）を当てて膜を削る反応性イオンエッチング（RIE）です。ガスをプラズマにして使うため、ドライエッチングと呼びます。真下に向かって削れるため、細く深い穴や溝を作れます。

ウエットエッチングは、薬液に浸したり、かけたりして膜を溶かす方法です。狙った膜だけを溶かしやすい一方、横にも溶けやすくなります。SUMCOは、ウエハーを作る途中で、削った表面の傷んだ層を薬液で取り除くのにも使っています。

エッチングの主な種類

種類	削り方	特徴	主な装置の会社（例）
ドライ（RIE）	プラズマのイオンとガス	真下に削れる。細く深い形に向く	ラムリサーチ、東京エレクトロン
ウエット	薬液で溶かす	狙った膜を選んで溶かしやすい	SCREEN、芝浦メカトロニクス
原子層エッチング（ALE）	原子の層を数枚ずつ	削る量を細かく制御できる	ラムリサーチ

削る相手で装置が分かれる

ラムリサーチは、エッチングを削る相手で分けています。トランジスタなど電気を通す部分を形づくるのが導体のエッチング、それを守る絶縁の部分を作るのが絶縁膜のエッチングです。チップを積み重ねるための貫通電極のような、細く深い形を作るのもエッチングの仕事です。

東京エレクトロンは、2026年4〜9月にDRAMのキャパシタのマスクの工程で先端の世代の採用を1社で得たほか、3D NANDの穴をあける極低温のエッチング装置の量産の受注が順調だと説明しています。

装置メーカーの数字

ラムリサーチの2026年7〜9月期の売上高は82億2,000万ドル、営業利益率は40.0%でした。中国向けが売上の35%を占めます。10〜12月期の売上高は86億ドル（上下4億ドル）を見込みます。

薬液を使う洗浄やエッチングの装置では、SCREENホールディングスの2026年4〜9月の売上高が3,084億円で、前年同期比12.5%増えました。会社は、先端のロジックとメモリーで洗浄の重要さが増していると説明しています。芝浦メカトロニクスは、1枚ずつ処理する高温のリン酸のエッチング装置が先端品の量産に使われているとしています。

関連する用語

• ドライエッチング：プラズマで膜を削る方法。今の主流です。
• ウエットエッチング：薬液で膜を溶かす方法。
• 原子層エッチング（ALE）：原子の層を数枚ずつ削る方法。