フォトレジストとは 光で溶け方が変わる薬剤、波長ごとに作り分ける
フォトレジストは、ウエハーに塗って光を当て、回路の模様を写し取るための薬剤です。東京応化工業は、2025年の出荷量でKrF用の世界シェアが33.3%、EUV用が29.3%だとしています。
- フォトレジストは、光が当たった所だけ現像液への溶け方が変わる、高分子の薬剤です。
- 光の当たった所が溶けるのがポジ型、残るのがネガ型です。
- 露光の光の波長ごとに、g線・i線用、KrF用、ArF用、EUV用と作り分けます。
- 東京応化工業の2026年1〜9月のエレクトロニクス機能材料の売上高は1,157億円で、27.3%増えました。
フォトレジストは、光や電子線に反応して性質が変わる薬剤です。単にレジストとも呼びます。ウエハーに薄く塗り、マスクを通して光を当て、現像すると、回路の模様の形にレジストが残る仕組みです。この残ったレジストが、下の膜を削るときの盾になります。
ポジ型とネガ型
2013年の日本国際賞の業績の解説によると、レジストには、光の当たった所が現像液に溶けるポジ型と、光の当たった所が残るネガ型があります。回転させたウエハーに塗って膜にし、露光、現像のあと、レジストに覆われていない所を薬液やプラズマで削り、最後にレジストを取り除きます。
回路を細かくするには、光の波長を短くします。しかし、波長を短くすると、従来のレジストは光への感度が大きく落ちる問題がありました。これを解いたのが、1980年代の初めに米IBMの研究者が開発した化学増幅型のレジストです。今の先端品の多くは、この仕組みを使います。
波長ごとに別の製品
東京応化工業の沿革を見ると、1968年に半導体用のネガ型レジスト、1972年に国産初の半導体用のポジ型レジストを作りました。その後、1987年にi線用、1995年にKrFエキシマレーザー用、2001年にArFエキシマレーザー用のポジ型レジストを出しています。今はEUV用も手がけます。
| レジストの種類 | 光の波長 | シェア | 順位 |
|---|---|---|---|
| g線・i線用 | 436nm・365nm | 25.3% | 1位 |
| KrF用 | 248nm | 33.3% | 1位 |
| ArF用 | 193nm | 14.4% | 3位 |
| EUV用 | 13.5nm | 29.3% | 1位 |
東京応化工業が富士キメラ総研の調査をもとに計算した数字。波長はASMLの説明から。
需要と再編
東京応化工業の2026年1〜9月の売上高は2,175億円で、前年同期比25.9%増えました。レジストを含むエレクトロニクス機能材料は1,157億円で27.3%増です。会社は、データセンター向けのAIサーバーの需要の拡大を理由に挙げています。通期の売上高の見通しは3,000億円です。
業界の再編も動いています。三井化学は2026年11月9日、政府系のJICキャピタルが運営するファンドなどからJSRを取得すると発表しました。取得額は有利子負債などを含めて1兆8,400億円で、完了は2027年度の下半期をめざします。三井化学は、JSRの先端のフォトレジストと、自社のペリクルなどを組み合わせるとしています。
関連する用語
- 化学増幅型レジスト:光で生じた酸が触媒になり、連鎖的に溶け方を変えるレジスト。
- メタルオキサイドレジスト:金属の酸化物を使うEUV用のレジスト。
- 現像:露光の後に薬液でレジストの一部を溶かし、模様を出す工程。
この記事は公開資料をもとに作成しています。売買をすすめるものではありません。誤りを見つけたら訂正します(編集方針)。
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