PVD（スパッタ）とは ターゲットにイオンを当てて金属の膜をつける
スパッタは、真空の中で金属の板にイオンをぶつけ、飛び出した原子をウエハーに積もらせて膜をつくる方式です。アルバックの半導体・電子部品向け装置の受注高は、2026年6月期に1133億円でした。
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CVDとは 原料ガスを熱やプラズマで反応させて膜をつくる
CVDは、原料のガスを熱やプラズマで反応させ、ウエハーの上に膜をつける方式です。縦型のバッチ炉を持つKOKUSAI ELECTRICは、2027年3月期にロジック・ファウンドリー向けの装置売上が65%増えると見込みます。
成膜とは ウエハーに原子数個分から数マイクロメートルの膜を積む工程
成膜は、ウエハーの上に絶縁や配線のための薄い膜をつける工程です。東京エレクトロンの2026年3月期の新規装置売上では、成膜装置が20%を占めました。
原子層エッチング（ALE）とは 表面を変えてから剥がす2段の繰り返しで、原子の層を数枚ずつ削る
原子層エッチング（ALE）は、原子の層を数枚ずつ削る、最も細かい加工のエッチングです。東京エレクトロンは、ALEを原子の層を積むALDと「逆の関係」にある技術と説明し、2025年の専門の学会でALEを含む10件を発表しました。
ウエットエッチングとは 薬液で膜を溶かす工程、窒化膜には高温のリン酸
ウエットエッチングは、薬液に触れさせて膜を溶かす方法で、洗浄と並ぶ「ウエット」の工程の1つです。芝浦メカトロニクスは、1枚ずつ処理する高温のリン酸のエッチング装置が先端品の量産に使われているとしています。
ドライエッチングとは プラズマのイオンで膜を削る、極低温で3D NANDの深い穴を2.5倍速く
ドライエッチングは、プラズマの中のイオンを膜に当てて削る方法で、今の半導体の加工の主流です。ラムリサーチは、3D NANDの深さ10マイクロメートルの穴を、極低温の方式で従来の2.5倍の速さで削れるとしています。
エッチングとは 回路の形に膜を削る工程、ラムリサーチは7〜9月に売上高82億ドル
エッチングは、レジストで覆われていない部分の膜を削り、回路の形を作る工程です。エッチング装置の大手の米ラムリサーチの2026年7〜9月期の売上高は82億2,000万ドルで、前の四半期比22%増えました。
計算リソグラフィとは CPU4万台分の計算をGPU350台で、TSMCが量産に採用
計算リソグラフィは、露光の写り方をコンピューターでまね、マスクと照明を最適化する技術です。NVIDIAによると、同社のGPUのシステム350台で、CPUのシステム4万台分の計算をこなせます。
OPC（光近接効果補正）とは 写るときのゆがみを先回りしてマスクを補正、1組で3,000万CPU時間
OPCは、露光で模様が設計どおりに写らない分を見込んで、マスクの模様を補正する技術です。NVIDIAによると、チップ1つ分のマスクの組の計算に3,000万CPU時間以上かかることがあります。
電子線描画とは 50万本超の電子ビームでフォトマスクを描く、ニューフレアと日本電子
電子線描画は、電子のビームでマスクやウエハーに回路の模様を直接描く技術です。ニューフレアテクノロジーのマルチビームの装置は、50万本を超えるビームで同時に描きます。
ナノインプリントとは はんこのように型を押して回路を作る、キヤノンは2027年の量産適用をめざす
ナノインプリントは、回路の模様を刻んだ型を、はんこのようにレジストに押し付けて回路を作る技術です。キヤノンの装置は最小14ナノメートルの線を作れ、同社は2027年の量産への適用をめざしています。
自己整合ダブルパターニング（SADP）とは 1回の露光と側壁の膜で線の間隔を半分に
SADPは、露光で作った「芯」の線の両側に薄い膜を付け、芯を取り除いて膜を新しい線として使う方法です。成膜装置のKOKUSAI ELECTRICは、2027年の前工程の装置の市場を2026年比30%以上増の約1,900億ドルと見ています。
マルチパターニングとは 1つの層を2回、4回に分けて写し、露光の限界を超える
マルチパターニングは、1つの層の模様を2回、4回と分けて作り、露光装置の解像度より細かい回路を得る方法です。ASMLは、EUVで1回の露光に置き換えればマスクと工程の数を減らせると説明しています。
EUVとは レンズの代わりに100層超の鏡、マスクも光を反射させて使う
EUVは波長13.5ナノメートルの極端紫外線で、レンズを通らないため、露光装置は100層を超える膜を重ねた鏡で光を運びます。ASMLは2026年1〜6月に、EUV装置を32台販売しました（計算）。
High-NAとは 開口数0.55のEUV、ASMLは上期に3台・11.9億ユーロを販売
High-NA EUVは、開口数（NA）を従来の0.33から0.55に上げたEUV露光装置で、解像度は8ナノメートルです。ASMLは2026年1〜6月に、High-NAの装置を3台、計11億8,890万ユーロ販売しました。
EUVペリクルとは 透過率92%超のCNT膜、三井化学は年5,000枚の設備
EUVペリクルは、EUV露光で使うフォトマスクを、ほこりから守る薄い膜です。三井化学は透過率92%以上のカーボンナノチューブ（CNT）のペリクルを、岩国大竹工場の年5,000枚の設備で作ります。
i線露光とは 水銀ランプの波長365ナノメートル、キヤノンは2026年に155台
i線露光は、水銀ランプの波長365ナノメートルの光を使う、古くからある露光の方式です。キヤノンは2026年に、半導体露光装置221台のうち155台をi線の装置で販売する見通しです。
KrF露光とは 波長248ナノメートルの光、キヤノンは2026年に66台を販売へ
KrF露光は、波長248ナノメートルのKrFエキシマレーザーの光を使う露光です。キヤノンは2026年に、KrFの露光装置を66台販売する見通しです。
ArF液浸露光とは 水の層でNAを1を超える1.35に、解像度は38ナノメートル
ArF液浸露光は、レンズとウエハーの間に水の層を入れ、開口数（NA）を1.35まで上げた露光の方式です。ニコンの最新機は解像度38ナノメートル以下で、1時間に280枚以上を処理します。
メタルオキサイドレジストとは スズ酸化物のEUV用レジスト、JSR傘下のインプリアが開発
メタルオキサイドレジストは、スズの酸化物を核にした金属のかたまりを使うEUV用のレジストです。開発する米インプリアは2021年にJSRの傘下に入り、JSRは2026年5月にインテグリスと特許を相互に使える契約を結びました。
化学増幅型レジストとは わずかな光で生じた酸が触媒に、IBMが1980年に開発
化学増幅型レジストは、光で生じた少しの酸が触媒になり、周りの樹脂の性質を次々に変えるレジストです。米IBMの研究チームが1980年に最初の材料の開発に成功し、2013年に日本国際賞を受けました。
フォトレジストとは 光で溶け方が変わる薬剤、波長ごとに作り分ける
フォトレジストは、ウエハーに塗って光を当て、回路の模様を写し取るための薬剤です。東京応化工業は、2025年の出荷量でKrF用の世界シェアが33.3%、EUV用が29.3%だとしています。
ペリクルとは フォトマスクに張るほこりよけの膜、三井化学は旭化成の事業も取得
ペリクルは、フォトマスクの表面にほこりが付かないように張る薄い膜です。三井化学は1984年にペリクルの販売を始め、2022年には旭化成のペリクル事業の取得を決めました。
フォトマスクとは 回路の模様を描いた原版、DNPは先端品が増える
フォトマスクは、露光装置でウエハーに写す回路の模様を描いた原版です。大日本印刷（DNP）は2026年4〜9月、フォトマスクを含むエレクトロニクス部門の売上高が前年同期比16.1%増の1,437億円でした。
フォトリソグラフィとは 光で回路を写す工程、細かさは「波長÷NA」で決まる
フォトリソグラフィは、光に反応する薬剤を塗ったウエハーに、マスクを通した光で回路の模様を写す工程です。ニコンの資料では、半導体露光装置の世界の市場は2026年に580台の見通しです。
酸化ガリウムとは ノベルクリスタルが150mm基板のサンプル出荷、量産は2029年を計画
酸化ガリウムは、ガリウムと酸素からなる半導体の材料で、高い電圧に耐える電源の素子に向きます。ノベルクリスタルテクノロジーは2026年3月から、直径150mmの基板のサンプル出荷を始めました。
SiC（炭化ケイ素）とは モース硬度9.3の結晶、レゾナックが300mm基板の加工に成功
SiCは、シリコンと炭素からなる化合物の半導体で、ロームによると絶縁破壊に耐える電界の強さはシリコンの約10倍です。レゾナックは2026年9月、直径300mmのSiCの単結晶の成長と基板の加工に成功したと発表しました。
GaN（窒化ガリウム）とは インフィニオンが11億ユーロで300mmの量産工場
GaNは、ガリウムと窒素の化合物の半導体で、シリコンより速く電気を切り替えられます。インフィニオンは2026年10月27日、300mmのGaNの量産工場に約11億ユーロを投じると発表しました。
化合物半導体とは AIの光通信でInP基板が不足、JX金属は能力を最大10倍に
化合物半導体は、インジウムとリン、ガリウムと窒素のように、2種類以上の元素を組み合わせた半導体です。JX金属は2026年6月、光通信に使うInP基板の生産能力を2025年度の7〜10倍に増やす方針を決めました。
SOIウエハーとは シリコンの下に酸化膜を挟む基板、ソイテックはAI向けが47%増
SOIウエハーは、シリコンの層と支えの基板の間に酸化膜を挟んだウエハーです。仏ソイテックの2026年4〜6月期の売上高は1億1,300万ユーロで、AI向けを含む部門が前年同期比47%増えました。