CVDとは　原料ガスを熱やプラズマで反応させて膜をつくる

CVDは「Chemical Vapor Deposition」の頭文字で、日本語では化学気相成長と呼びます。原料をガスの形で装置に送り、ウエハーの表面で化学反応を起こして、固体の膜を残します。シリコン酸化膜やシリコン窒化膜といった絶縁膜の多くはこの方式でつくります。

熱で反応させるか、プラズマを使うか

CVDは、反応のエネルギーをどこから得るかで呼び名が変わります。

• 減圧CVD（LP-CVD）：装置の中の圧力を下げ、高い熱で反応させます。膜の厚さがそろいやすく、ウエハーを何十枚も重ねて一度に処理する縦型炉で使います。
• PECVD：プラズマで原料ガスを分解し、熱CVDより低い温度で膜をつけます。配線をつくった後の層のように、高い熱をかけられない場面で使います。
• HDP-CVD：密度の高いプラズマを使い、細く深い溝の中まで絶縁物で埋めます。

ラムリサーチは製品群を方式ごとに分けています。PECVDは「VECTOR」、溝を埋めるHDP-CVDは「SPEED」、タングステンの接続部をつくるCVDとALDの組み合わせは「ALTUS」です。

まとめて焼く縦型炉と、1枚ずつの枚葉式

CVD装置には、多くのウエハーを1回で処理するバッチ式と、1枚ずつ処理する枚葉式があります。バッチ式の大手がKOKUSAI ELECTRICです。製品ページでは、主力の「AdvancedAce-300」を減圧CVD、酸化、拡散、アニールに使う300ミリ用の炉として載せています。200ミリ用の「VERTEX Revolution」は1回に175枚を処理する炉を用意しています。

枚葉式は1枚ごとに条件を変えやすく、最先端のロジックで多く使います。オランダのASMインターナショナルは2026年10月27日の決算発表で、炭素の膜を流し込むように埋めるPECVDの新製品「XP8 Vertos」を出したと公表しました。

KOKUSAI ELECTRICの2027年3月期の装置売上の見通し（前期比）

用途	増減率
NAND向け	+49%
DRAM向け	+61%
ロジック・ファウンドリー向け	+65%
サービス売上	+22%

NANDは記憶の層を縦に多く積むため、同じ膜を何度も重ねます。KOKUSAIの上期の売上収益は1640億円で、前年同期比40.0%増でした。

関連する用語

• ALD：CVDの一種ともいえる方式で、原料を交互に流して1原子層ずつ積みます。
• エピタキシャル成長：CVDの仕組みで、下地と同じ結晶の並びの膜を育てます。
• チャンバークリーニング：CVDで装置の内壁についた膜を、ガスで定期的に取り除く作業です。

KOKUSAI ELECTRICの2027年3月期の通期予想は売上収益3400億円、営業利益794億円です。ラムリサーチは2026年10〜12月期の売上を86億ドル（上下4億ドル）と見込んでいます。