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ハイブリッドボンディングとは 銅と絶縁膜を同時に貼り合わせ、突起なしで積む

ハイブリッドボンディングは、銅の電極と絶縁膜を同時に貼り合わせ、バンプなしでチップをつなぐ方法です。蘭Besiは、2026年1〜9月のハイブリッドボンディング装置の受注が2025年通年の2倍を超えたと発表しました。

ポイント
  • ハイブリッドボンディングは、表面に並んだ銅の電極と、その周りの絶縁膜の両方を、同時に直接くっつける接合です。
  • はんだのバンプを使わないため、接続の間隔を狭め、本数を大きく増やせます。チップを積んだ高さも抑えられます。
  • 接合面を極めて平らにする必要があり、CMP(化学機械研磨)とスラリーの技術が前提になります。
  • Besiの2026年7〜9月期の売上は2億8340万ユーロで、前年同期比113.6%増でした。

チップどうしをつなぐ方法は、ワイヤ、はんだのバンプ、銅のマイクロバンプと、接続を細かくする方向に進んできました。その先にあるのがハイブリッドボンディングです。突起を使わず、平らに磨いた2つの面を重ねて、電極どうしと絶縁膜どうしを同時に接合します。「ハイブリッド」は、金属と絶縁物の2種類を一度に接合することを指します。

貼り合わせの手順

  1. 表面に銅の電極が埋め込まれた絶縁膜をつくり、CMPで極めて平らに磨きます。銅の面は絶縁膜の面よりわずかに低くしておきます。
  2. 表面をプラズマなどで処理し、くっつきやすい状態にします。
  3. 2つの面の位置を合わせて重ねます。常温で絶縁膜どうしが先にくっつきます。
  4. 熱を加えると銅がふくらみ、銅どうしが押し合って金属として一体になります。

表面に小さなごみが1つあるだけで、その周りがくっつかなくなります。このため、装置は清浄度の高い環境で、高い精度で位置を合わせて貼り合わせる必要があります。貼り方は、ウエハーどうしを貼る方法と、チップを1つずつウエハーに貼る方法の2通りです。

バンプとの違い

マイクロバンプとハイブリッドボンディングの比較
項目マイクロバンプハイブリッドボンディング
つなぐものはんだを載せた銅の突起銅の電極と絶縁膜を直接
すき間あり。樹脂で埋めるない
接続の間隔突起の大きさで限られるさらに狭くできる
表面の要求突起で高さの差を吸収できる極めて平らでなければならない

画像センサーでは、画素のウエハーと処理回路のウエハーを貼り合わせる用途で使われてきました。

装置と材料の会社

チップを1つずつ貼る装置では、オランダのBEセミコンダクター・インダストリーズ(Besi)が知られます。2026年10月22日の発表によると、7〜9月期の売上は2億8340万ユーロ、受注は3億4260万ユーロで前年同期比96.1%増でした。1〜9月のハイブリッドボンディング装置の受注は2025年通年の2倍を超え、装置の累計の需要は215台を超えたとしています。

Besiの2026年の数字(百万ユーロ)
項目7〜9月1〜9月
売上283.4718.1
受注342.6905.2
純利益107.2247.8

日本では、芝浦メカトロニクスがハイブリッドボンダーとその前処理装置を新しい製品として育てています。富士フイルムは2025年9月、ハイブリッドボンディングの接合面を平らにする銅配線用のCMPスラリーを発売し、大手の半導体メーカーが採用したと発表しました。

関連する用語

  • CMP:接合の前に表面を平らに磨く工程です。
  • チップレット:小さなチップを組み合わせて1つの製品にする考え方です。ハイブリッドボンディングは積み重ねの接合に使います。
  • TCボンダー:熱と圧力でバンプをつなぐ、従来型の接合の装置です。

Besiは2026年10〜12月期の売上を7〜9月期並み(上下5%)、売上総利益率を63〜65%と見込みます。

この記事は公開資料をもとに作成しています。売買をすすめるものではありません。誤りを見つけたら訂正します(編集方針)。

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