2nm世代で増える製造装置、成膜・エッチング・EUVの出番が増える　KOKUSAIは今期のGAA向け装置売上200億円超

半導体の最先端の世代が2nmに移り、製造装置の需要の中身が変わっています。成膜の装置のKOKUSAI ELECTRICは11月の決算説明で、2027年3月期はGAAの2nm世代向けの投資が進み、GAA向けの装置売上が、第1四半期の決算発表の時点の見込みと変わらず200億円を超えるとの見通しを示しました。

トランジスタの形が変わる

これまでの最先端のFinFETでは、電流の通り道（チャネル）がひれのような板の形で立っており、ゲートがその3方を囲んでいました。2nm世代のGAAでは、チャネルを横向きの薄い板にして何枚か重ね、ゲートが4方すべてを囲みます。電流を止めたいときに確実に止められるため、トランジスタをさらに小さくしても漏れる電流を抑えられます。

GAAをつくる工程は、FinFETより手順が増えます。

• エピタキシャル成長：シリコンとシリコンゲルマニウムの薄い膜を、原子の並びをそろえて交互に何層も重ねます。
• 選択エッチング：シリコンゲルマニウムだけを横から溶かして抜き、シリコンの板を宙に浮いた形で残します。
• 原子層堆積（ALD）：板と板のすき間に、絶縁の膜やゲートの膜を原子の層の単位で均一に付けます。
• 計測・検査：外から見えない内側の形を測る工程が増えます。

さらに、配線の一部をウエハーの裏側に回す「裏面電源」を組み合わせる世代では、ウエハーを貼り合わせて薄く削る工程も加わります。

各社の開示

最先端のロジック向けの装置に関わる各社の数字

会社	項目	数字
KOKUSAI ELECTRIC	2027年3月期のGAA向け装置売上の見込み	200億円超
KOKUSAI ELECTRIC	同 アドバンスドパッケージ向け売上の見通し	150億円
アプライドマテリアルズ	半導体システムの売上のうちファウンドリー・ロジック向け（2026年10月期）	63%
ASML	EUV露光装置の販売（2026年1〜6月、Low-NAとHigh-NAの合計）	32台

出典：KOKUSAI ELECTRIC「2027年3月期第2四半期 決算説明会のプレゼンテーションのテキスト版」（2026年11月）、Applied Materials「Fourth Quarter and Fiscal Year 2026 Results」（2026年11月12日）、ASML「Statutory Interim Report 2026」（2026年7月）。

KOKUSAI ELECTRICは、複数のウエハーをまとめて処理するバッチ式の原子層の成膜の装置や、1枚ずつ処理する枚葉式のプラズマ処理の装置を手がけています。GAAの1.4nm世代でも、顧客の製造の標準の工程（POR）に採用される動きが進んでおり、その次のCFET（0.7nm世代）に向けた提案も始めたと説明しています。微細化と3次元化が進むほど、こうした装置の出番が増えるとしています。

アプライドマテリアルズの2026年10月期の半導体システムの売上は261億4200万ドルで、ファウンドリー・ロジック向けが63%、DRAM向けが30%、フラッシュメモリー向けが7%でした。ゲイリー・ディッカーソン最高経営責任者は、半導体システムの事業を2026年暦年で40%超伸ばす計画が順調だと述べています。

今後の注目点

• アプライドは、2026年11月〜27年1月の売上高を111億ドル前後（上下5億ドル）と見込んでいます。
• KOKUSAI ELECTRICは、大手の半導体メーカー各社でGAA向けの設備投資が増えると見ています。