先端パッケージの装置が伸びる Besiの7〜9月期受注は96%増、TOWAの受注は過去最高の329億円
チップ同士を直接貼り合わせる「ハイブリッド接合」の装置を手がけるオランダのBEセミコンダクター(Besi)の7〜9月期の受注は3億4,260万ユーロで、前年同期比96.1%増えました。樹脂で封じる装置のTOWAの7〜9月期の受注は329億7,000万円で、前年同期の2.3倍です。
- Besiの7〜9月期の売上は2億8,340万ユーロで前年同期比113.6%増、受注は96.1%増でした。
- Besiのハイブリッド接合の装置の1〜9月の受注は、2025年通年の2倍を超えました。
- TOWAの7〜9月期の受注は前年同期比125.8%増の329億7,000万円で、四半期で過去最高です。9月末の受注残は518億3,000万円です。
- 東京エレクトロンは、先端パッケージ向けの成膜の装置を、今期と来期それぞれ200台以上出荷する見込みです。
AIのGPUは、計算のチップと、その周りに並べたHBM(積み重ねたメモリ)を、1つの土台の上でつないで作ります。HBM自体も、薄く削ったDRAMのチップを何段も積み重ねたものです。こうした「先端パッケージ」では、チップを削る、貼り合わせる、樹脂で封じるといった後工程の装置の出番が増えます。
| 会社 | 主な装置 | 受注 | 前年同期比 | 売上 |
|---|---|---|---|---|
| Besi(オランダ) | チップの接合(ハイブリッド接合など) | 3億4,260万ユーロ | +96.1% | 2億8,340万ユーロ |
| TOWA | 樹脂の封止(モールディング) | 329億7,000万円 | +125.8% | 175億3,000万円 |
チップを貼り合わせる Besi
ハイブリッド接合は、チップの表面の銅の電極同士を、はんだの小さな球を使わずに直接つなぐ技術です。電極の間隔を細かくでき、チップを薄く積めます。Besiはこの装置の大手です。
Besiの7〜9月期の売上は2億8,340万ユーロで、前年同期の2.1倍でした。会社はデータセンターとAI向けの出荷が増えたとしています。受注は3億4,260万ユーロで、前期比でも17.0%増えました。ハイブリッド接合の装置の1〜9月の受注は、2025年の1年分の2倍を超えました。売上総利益率は65.2%です。
10〜12月期の売上は、7〜9月期と同じ水準から上下5%を見込みます。会社によると、一部の顧客が、7〜9月期に出した注文の納入を2027年上期の生産の計画に合わせることを求めています。
樹脂で封じる TOWA
TOWAは、チップを樹脂で封じるモールディングの装置が主力です。7〜9月期の受注は329億7,000万円で、4〜6月期に続いて四半期で過去最高を更新しました。このうちモールディングの受注は260億3,000万円です。出荷先別では、中国が116億2,000万円、マレーシアが67億8,000万円、韓国が45億1,000万円でした。
会社は事業の環境として、生成AIの需要で先端のロジックとHBMへの投資が活発だと説明しています。データセンターのサーバーの電源の管理に使う半導体向けの投資も続いているとしました。4〜9月の売上は337億1,000万円で、半期として過去最高です。通期の業績の予想は上方修正しました。
パッケージ向けの成膜と検査 東京エレクトロン
前工程の装置が主力の東京エレクトロンも、先端パッケージ向けで需要が増えている装置を挙げています。チップの土台に作り込むコンデンサー(ディープトレンチ・キャパシタ)向けに、一度に多くのウエハーに膜をつける成膜の装置の需要が広がり、今期と来期ともに200台以上の出荷を見込みます。ウエハーの電気の検査に使うプローバーも、出荷台数が前期より約60%多い過去最高になる見込みです。
今後の注目点
- Besiの10〜12月期の売上の見通しは、7〜9月期並みから上下5%です。
- TOWAの9月末の受注残は518億3,000万円で、下期の売上につながります。
この記事は公開資料をもとに作成しています。売買をすすめるものではありません。誤りを見つけたら訂正します(編集方針)。
関連する記事
メモリ増産で装置の売上の構成が変わる 東エレクの下期はメモリ向け49%、アプライドはDRAMが33%
東京エレクトロンの7〜9月期の新しい装置の売上は7,344億円で、DRAM向けが34%、不揮発性メモリ向けが10%を占めました。DRAM向けの金額は約2,497億円で、前年同期の約1,229億円から約2倍になった計算です。
パワー半導体の装置に回復の兆し アイクストロンの7〜9月期受注は2.2倍、パワー向けは約24%
化合物半導体の成膜の装置を手がける独アイクストロンの7〜9月期の受注は2億7,490万ユーロで、前年同期比122%増えました。装置の受注の約24%がパワー半導体向けで、会社はGaNとSiCのパワー半導体の分野で「回復の始まり」が見えるとしています。
エヌビディアのGPU、3世代でメモリ帯域は約6.6倍 Hopper 3.35TB/sからRubin 22TB/sへ
エヌビディアのデータセンター向けGPUは、Hopper、Blackwell、Rubinと世代を重ねてきました。GPU1基のメモリ帯域は、H100の毎秒3.35テラバイトからRubinの毎秒22テラバイトへ約6.6倍(計算)になります。
ラピダスの装置の導入の歩み 2024年12月にEUVを搬入、2026年度は短TATの生産システムと搬送を試作ラインで検証
ラピダスは2024年12月18日、北海道千歳市のIIM-1でASMLのEUV露光装置NXE:3800Eの設置を始めました。2026年度の計画では、短TAT(短い製造期間)の生産システムの装置、搬送、生産管理を試作ラインに入れて検証します。