GaNのウエハーと基板、パワー用の量産はシリコンの上で　米ナビタスは7〜9月に38%増収、米国製の出荷を開始

電源を小さくできるGaN（窒化ガリウム）のパワー半導体で、生産の場所と基板の選び方が変わってきています。GaNの素子を設計する米ナビタス・セミコンダクターは11月3日、2026年7〜9月の売上高が1400万ドルだったと発表しました。4〜6月の1050万ドルから33%、前年同期の1010万ドルから38%増えました。

4種類の基板、それぞれの用途

GaNは、大きな結晶の塊を作るのが難しい材料です。このため多くの場合、別の材料の基板の上に、ガスからGaNの薄い膜を育てて（エピタキシャル成長）素子を作ります。

GaNの素子に使う基板の種類

基板	主な用途	特徴
シリコン	充電器、サーバーの電源などパワー用	安く、直径の大きいウエハーを使える。GaNとの結晶のずれが大きく、膜の反りや割れを抑える技術が要る
SiC	基地局などの高周波用	熱を逃がしやすいが、基板が高い
サファイア	LED	安いが熱を逃がしにくい
GaN（自立基板）	青紫のレーザー、高耐圧の素子の開発	結晶のずれがなく欠陥が少ないが、高価で大きな直径が作りにくい

パワー用でシリコンの基板が主流なのは、コストと量産のしやすさのためです。シリコンの基板の上なら、既存の半導体工場の装置を使い、200mmや300mmの大きなウエハーで多くのチップを取れます。一方で、GaNとシリコンは結晶の間隔や熱での伸び方が違い、膜を厚くすると反りや割れが出ます。信越化学工業は、この問題を抑えるため、GaNと熱での伸び方が近い独自の基板（QST基板）を開発しています。

ナビタスは工場を移す

ナビタスは自社の工場を持たず、外部の工場に生産を任せています。7〜9月には、グローバルファウンドリーズが米国で作った第5世代のGaNの素子の最初の出荷をしました。米エヌビディアとは、データセンターのラックの800Vの電源から12Vに変える基板を共同で手がけました。800Vから6V、800Vから50Vに変える品は、これまでに発表済みです。

7〜9月の調整後の売上総利益率は40.0%で、4〜6月の39.5%、前年同期の38.7%から少しずつ上がっています。GAAPの売上総利益率は21.5%でした。データセンター向けでは、米マイクロチップとも800Vの電源の参考設計で組んでいます。

7〜9月のGAAPの純損失は3710万ドルで、調整後の純損失は690万ドルでした。9月末の現金は5億3150万ドルで、2025年末の2億3690万ドルから増えています。GaNのほか、SiCの素子でも米国政府の10kVの開発の案件に選ばれ、韓国のマグナチップとはSiCの生産の協力で合意しました。

今後の注目点

• ナビタスは10〜12月の売上高を1600万ドル（上下50万ドル）、調整後の売上総利益率を40.5%前後と見込んでいます。
• 同社は、年末までにAIのデータセンターと電力網の設備向けが売上の40%を超えるとしています。