MRAMとは　小さな磁石の向きで0と1を覚えるメモリ、電源を切っても消えずに速い

MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory、磁気抵抗メモリ）は、磁気の力を使ってデータを記憶するメモリです。電気をためるDRAMや、電子を閉じ込めるNANDとは仕組みが違います。電源を切っても中身が残る「不揮発」のメモリで、次の世代のメモリの候補として長く研究されてきました。

2枚の磁石の向きで記憶する

MRAMの記憶の素子は、2枚の薄い磁性の膜で、ごく薄い絶縁の膜を挟んだ構造です。この素子を磁気トンネル接合（MTJ）と呼びます。片方の膜は磁石の向きを固定し、もう片方は向きを変えられるようにします。

2枚の向きがそろっていると電気が流れやすく、逆向きだと流れにくくなります。この抵抗の違いを読んで、0と1を見分けます。磁石の向きは電源を切っても変わらないため、データが残ります。電子の出し入れで膜を傷めるNANDと違い、書き換えを繰り返しても劣化しにくい性質があります。

MRAMの2つの書き込み方式

方式	向きの変え方	特徴
トグルMRAM	近くの配線に流した電流が作る磁界で変える	書き換えに強く、温度の変化にも強い。容量を大きくしにくい
STT-MRAM	素子に直接電流を流し、電子のスピンで向きを変える	素子を小さくでき、容量を増やしやすい

どこで使われているか

MRAMは、DRAMやNANDのような大容量の品ではなく、停電の時もデータを失えない機器に使われてきました。産業用のロボットや制御装置、医療機器、電力の管理装置、データセンターの記憶装置の中で、書き込み途中のデータを守る用途などです。マイコンなどの半導体の中に、プログラムを置くメモリとして組み込む使い方もあります。

専業メーカーの数字

米エバースピン・テクノロジーズは、トグルとSTTの両方のMRAMを売る専業の会社です。2026年7〜9月期の売上は2,060万ドルで、前年同期の1,410万ドルから47%増えました（計算）。このうち製品の売上は1,690万ドルで、前年同期の1,270万ドルから33%増えました（計算）。ライセンス、使用料、設計の受託などの売上は370万ドルでした。

会社は、産業の自動化、データセンター、医療、エネルギー管理の用途が伸びたと説明しています。売上総利益率は51.4%でした。訴訟の費用600万ドルなどを計上し、会計基準の純損益は720万ドルの赤字です。

関連する用語

• 不揮発メモリ：電源を切ってもデータが残るメモリ。NAND、MRAM、ReRAM、相変化メモリなど。
• ReRAM：電気の通り道の抵抗の変化で記憶するメモリ。
• 相変化メモリ：材料の結晶の状態の変化で記憶するメモリ。

エバースピンは、2026年10〜12月期の売上を2,150万〜2,250万ドルと見込んでいます。